Ю.С. Смирнов, Т.А. Гришина, И.С. Макарова
ГП Научно-исследовательский институт электронной и ионной оптики, Москва, Россия
Анализируются возможности комплекса сверхвысоковольтного электронного микроскопа СВЭМ-1, который позволяет работать при ускоряющем напряжении 2 мВ. Оптимальные толщины для исследования объектов с атомным разрешением составляют от 0,15 мкм для тяжелых металлов и до 0,15 мкм для полупроводников. Оптимальные толщины для изучения объектов методами дифракционного контраста или методами электронографии составляют от 0,02 мкм для тяжелых металлов и до 1 мкм для полупроводников. Оптимальные толщины аморфных объектов равны 510 мкм.