П.С.Серебренников
Государственное Унитарное Предприятие “НПО “ОРИОН”, Москва, Россия
Проанализирована возможность увеличения квантового выхода на порядок и больше в структуре металл-полупроводник-металл за счет лавинного умножения фотогенерированных носителей в слое полупроводника при одновременном подавлении туннельного тока путем оптимального выбора толщины полупроводника.