Ю. М. Деготь, О. Н. Забенькин, А. В. Кулыманов, Т. Н. Мищенкова, О. В. Огнева, И. В. Чинарева
ФГУП «НПО “Орион”», Москва, Россия
Представлены результаты разработки многоэлементного фотоприемника (ФП), состоящего из линейки планарных pin-фотодиодов (ФД) на основе гетероструктур InGaAsP/InP, чувствительных в спектральном диапазоне 1,0—1,7 мкм, для совре-менных приборов ночного видения (ПНВ).