Е. М. Беломестнов
Институт проблем управления РАН, Москва, Россия
Приводятся основные технические характеристики и функциональные возможности высокоточного полупроводникового датчика — фотоприемника для оптоэлектронных измерительных систем. Обсуждаются технические преимущества, достигаемые при применении рассматриваемого датчика по сравнению с датчиками двух основных известных промышленно-освоенных датчиков — многоэлементными и координаточув-ствительными фотоприемниками на основе продольного фотоэффекта в р-п-переходах. Приводятся известные и новые области применения датчика в оптоэлектронных измерительных системах.