RU / EN

Выпуск №3, 2014 г.

ОБЩАЯ ФИЗИКА

Статистическое описание флуктуаций тока через конденсатор с приложенным к нему случайным напряжением
Авторы: Морозов А. Н., Скрипкин А. В.
5
Термодинамическое моделирование термических процессов, происходящих в расплавленном сплаве Bуда при различных условиях
Авторы: Барбин Н. М., Овчинникова И. В., Терентьев Д. И., Алексеев С. Г.
8
Термодинамическое моделирование паровой фазы при испарении расплавленного сплава Вуда при различных давлениях
Авторы: Барбин Н. М., Тиркина И. В., Терентьев Д. И., Алексеев С. Г.
12
Изменение моды при движении фазового скелета излучения
Авторы: Мелкумян Б. В.
17

ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ

Определение термодинамических свойств замагниченной плазмы на основе модели Томаса–Ферми
Авторы: Кузенов В. В., Рыжков С. В., Шумаев В. В.
22
Радиационно-гидродинамическое моделирование контактной границы плазменной мишени, находящейся во внешнем магнитном поле
Авторы: Кузенов В. В., Рыжков С. В.
26
Параметры ЭЦР-плазмы, формируемой в узком коаксиальном резонаторе плазменного инжектора CERA-RI-2
Авторы: Балмашнов А. А., Степина С. П., Умнов А. М.
31
Излучательные и спектральные характеристики искрового канала в аргоне
Авторы: Курбанисмаилов В. С., Омаров О. А., Рагимханов Г. Б.
35
Плазмохимический генератор озона с повышенной однородностью микроразрядных процессов в барьерном разряде
Авторы: Андреев В. В., Матюнин А. Н., Пичугин Ю. П.
39
Исследование энергетической цены синтеза озона в ячейках поверхностного диэлектрического барьерного разряда
Авторы: Андреев В. В., Васильева Л. А., Пичугин Ю. П.
43
Воздействие низкотемпературной аргоновой плазмы слаботочных высоковольтных разрядов на микроор-ганизмы
Авторы: Семенов А. П., Балданов Б. Б., Ранжуров Ц. В., Норбоев Ч. Н., Намсараев Б. Б., Дамбаев В. Б., Гомбоева С. В., Абидуева Л. Р.
47

ЭЛЕКТРОННЫЕ И ИОННЫЕ ПУЧКИ

Самоорганизация сгустков электронов в ЭЦР-источнике рентгеновского излучения CERA-RX(C)
Авторы: Балмашнов А. А., Калашников А. В., Калашников В. В., Степина С. В., Умнов А. М.
51

ФОТОЭЛЕКТРОНИКА

Исследование морфологии поверхности полупроводниковых подложек InSb, предназначенных для ИК-фотоэлектроники
Авторы: Мирофянченко А. Е., Коротаев Е. Д., Яковлева Н. И.
55
Особенности спектральной зависимости поглощения эпитаксиальных структур CdHgTe
Авторы: Яковлева Н. И., Болтарь К. О., Никонов А. В., Бункина Н. А.
61
Характеристики охлаждаемой диафрагмы МФПУ среднего инфракрасного диапазона спектра
Авторы: Болтарь К. О., Власов П. В., Лопухин А. А., Мансветов Н. Г.
67
Фотоэлектрическая связь ультрафиолетового матричного фотоприемного устройства на основе гетероструктур AlGaN
Авторы: Кононов М. Е., Полесский А. В., Хамидулллин К. А.
71
Влияние диффузии серы из подложки InP гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/InP на параметры pin-фотодиодов
Авторы: Андреев Д. С., Будтолаева А. К., Хакуашев П. Е., Чинарева И. В.
75
Влияние плазмохимической обработки на электрические свойства фотодиодов на основе гетероструктур InGaAsP/InP
Авторы: Андреев Д. С., Будтолаева А. К., Огнева О. В., Чинарева И. В.
79

ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ

Экспериментальная установка по микро- и наноструктурированию поверхности твердых тел лазерным излучением
Авторы: Железнов Ю. А., Малинский Т. В., Миколуцкий С. И., Токарев В. Н., Хасая Р. Р., Хомич Ю. В., Ямщиков В. А.
83

ИНФОРМАЦИЯ

Правила для авторов журнала «Прикладная физика»
Авторы: Научно-технический журнал
89