RU / EN

Выпуск №3, 2017 г.

ОБЩАЯ ФИЗИКА

Вклад катодолюминесценции и фотолюминесценции в сигналы с алмазных детекторов пучков убегающих электронов
Авторы: Бураченко А. Г., Белоплотов Д. В., Сорокин Д. А., Тарасенко В. Ф., Бакшт Е. Х., Ломаев М. И., Липатов Е. И.
5
Методика измерения времен релаксации фотопроводимости полупроводника в микроволновом поле при импульсном лазерном излучении
Авторы: Расмагин С. И., Крыштоб В. И.
11
Стохастический нагрев нерелятивистских заряженных частиц в электрических полях со случайными переключениями
Авторы: Логинов В. М.
16
Влияние гравитационных сил на процессы горения
Авторы: Крикунова А. И., Сон Э. Е., Клинков К. В., Eigenbrod C.
21

ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ

О возможности прецизионной электронно-лучевой обработки протяженных диэлектрических изделий плазменным источником электронов в форвакууме
Авторы: Бакеев И. Ю., Зенин А. А., Климов А. С., Окс Е. М.
26
О вихревом режиме аргон-водородного плазменного потока в канале высокочастотного индукционного плазмотрона
Авторы: Гришин Ю. М., Мяо Лун
31
Самовозбуждение низкочастотных колебаний в плазменном кольце, формируемом ЭЦР-разрядом в узком коаксиальном резонаторе
Авторы: Балмашнов А. А., Калашников А. В., Калашников В. В., Степина С. П., Умнов А. М.
37
Влияние внешнего магнитного поля на радиальное распределение ионного тока насыщения зонда в высокочастотном индук-тивном источнике плазмы
Авторы: Неклюдова П. А., Кралькина Е. А., Вавилин К. В., Задириев И. И., Никонов А. М
42
Влияние полярности напряжения на синтез озона в диэлектрическом барьерном разряде
Авторы: Андреев В. В., Пичугин Ю. П.
47
Характеристики рентгеновского излучения микропинчевого разряда в зависимости от полярности электродов разрядной системы
Авторы: Баловнев А. В., Башутин О. А., Григорьева И. Г., Манохин И. Л., Салахутдинов Г. Х.
52

ФОТОЭЛЕКТРОНИКА

Температурное разрешение тепловизионных систем с использованием фотоприемных устройств на основе CdHgTe
Авторы: Яковлева Н. И., Болтарь К. О., Никонов А. В.
58
Фотодиодные структуры на основе CdTe и CdMnTe
Авторы: Галочкин А. В., Ащеулов А. А., Захарук З. И., Дремлюженко С. Г., Романюк И. С.
65

МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ

Влияние структурного совершенства пленок оксида цинка на их электрические и оптические свойства
Авторы: Муслимов А. Э., Рабаданов М. Х., Исмаилов А. М.
72
Исследование PHEMT-структур с квантовыми ямами AlGaAs/InGaAs/GaAs, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией
Авторы: Дудин А. Л., Миронова М. С., Яковлев Г. Е., Фролов Д. С., Коган И. В., Шуков И. В., Зубков В. И., Глинский Г. Ф.
78
Измерение краевого угла смачивания свинцом поверхности оксида железа и реакторной стали ЭИ-852
Авторы: Кармоков А. М., Дышекова А. Х., Молоканова О. О.
85
Режимы шлифования и полирования пластин из сапфира и карбида кремния, содержащих СВЧ монолитные интегральные схемыv
Авторы: Трофимов А. А.
89
Перколяционные модели для описания степени усиления модуля упругости высоконаполненных нанокомпозитов полиуретан/графен
Авторы: Козлов Г. В., Долбин И. В.
96
Анализ разориентации монокристаллических блоков объемного кристалла InSb
Авторы: Шабрин А. Д., Гончаров А. Е., Пашкеев Д. А., Ляликов А. В., Егоров А. В.
101

ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ

Мультиспектральные фотоэлектрические преобразователи для измерения излучательных характеристик импульсных источников широкополосного оптического излучения
Авторы: Архипов В. П., Желаев И. А., Ивашкин А. Б., Камруков А. С., Семенов К. А.
107
Обоснование требований к элементам установки измерения пятна рассеяния объектива на основе матричного фотоприемного устройства
Авторы: Полесский А. В., Юдовская А. Д.
115