Ю. Е. Гагарин, М. А. Степович
Калужский филиал Московского государственного технического университета им. Н. Э. Баумана, г. Калуга, Россия
Изучены возможности использования конфлюентного анализа для интервального оценивания диффузионных длин неосновных носителей заряда в полупроводниках с помощью методов математического моделирования. Конфлюентный анализ реализован для прямозонных полупроводников при различных значениях погрешности измеряемых величин энергий электронов пучка, характерных для реального эксперимента.