С. С. Борисов, Е. А. Грачёв, Н. Н. Негуляев, Е. А. Черёмухин
Физический факультет Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия
С. И. Зайцев
Институт проблем технологий микроэлектроники РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
На основе метода Монте-Карло предложен новый подход к моделированию взаимодействия электронов с веществом. Рассмотрен ряд явлений, связанных с выделением энергии и накоплением заряда в облучаемом образце. Проведен расчет распределений потенциала электрического поля и поляризации резистов, создаваемых накопленным в процессе облучения зарядом. Показано, что зарядка является существенным обстоятельством, способным вызвать значительную потерю точности в электронной литографии.