В. П. Астахов, А. А. Грибанов, Н. И. Евстафьева, В. В. Карпов, М. Е. Козырев, Н. С. Кузнецов
ОАО «Московский завод “Сапфир”», Россия
О. Г. Романов, А. Н. Чиванов
ГП ВНЦ “ГОИ им. С. И. Вавилова”, Санкт-Петербург, Россия
Выполнены исследования влияния различных факторов (способ обработки поверхности полупроводникового материала, концентрация примеси, способ изготовления электрических контактов, глубина разделительных канавок и др.) на фотоэлектрические параметры фотоприемника на основе германия, легированного ртутью. Разработаны конструкция и базовые технологические процессы изготовления вакуумных фотоприемников с охлаждаемой апертурной диафрагмой, работающих при температуре 30 К. Проведены испытания разработанных фотоприемников (ФП), состыкованных с газовой криогенной машиной.