Ф. И. Маняхин
Московский институт стали и сплавов, Москва, Россия
Получены экспериментальные распределения эффективной концентрации заряженных центров вблизи металлургической границы гетероперерехода n-GaAIAs/p-GaAs после длительной наработки при пропускании прямого тока Обнаружены существенные изменения в распределении концентрации и показана взаимосвязь с изменениями характеристик и параметров излучателей.