О журнале
Учредители
Редколлегия
Выпуски
Подписка
Авторам
Контакты
RU
/
EN
Выпуск №5, 2014 г.
ОБЩАЯ ФИЗИКА
Лазерная генерация в структурах КРТ с квантовыми ямами
Авторы:
Войцеховский А. В., Горн Д. И.
5
Аналогии между экзоэлектронной фотоэмиссией и вторично-ионным фотоэффектом в полупроводниках
Авторы:
Роках А. Г., Шишкин М. И., Вениг С. Б., Матасов М. Д., Аткин В. С.
11
Исследование структурных неоднородностей карбида кремния методом малоуглового рентгеновского рассеяния
Авторы:
Логунов М. В., Неверов В. А., Мамин Б. Ф.
15
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Исследование пылевых частиц, образующихся при распылении сложного оксида в кислородном высокочастотном разряде
Авторы:
Пляка П. С., Алихаджиев С. Х., Толмачев Г. Н.
19
ЭЛЕКТРОННЫЕ, ИОННЫЕ И ЛАЗЕРНЫЕ ПУЧКИ
Супергетеродинные плазменно-пучковые ЛСЭ с винтовыми электронными пучками
Авторы:
Кулиш В. В., Лысенко А. В., Алексеенко Г. А., Коваль В. В., Ромбовский М. Ю.
24
Тормозное излучение электронов, проходящих через многослойную структуру кулоновых центров и ускоряемых электрическим полем
Авторы:
Крылов В. И., Хомяков В. В.
29
Результаты экспериментальных исследований по резанию карбонатных горных пород мощным лазерным излучением
Авторы:
Чебан А. Ю., Хрунина Н. П., Леоненко Н. А.
34
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Аналитический подход к выбору оптимальной структуры лавинных гетерофотодиодов на основе прямозонных полупроводников
Авторы:
Холоднов В. А., Бурлаков И. Д., Другова А. А.
38
Оптимизация ростовых условий для улучшения параметров фотоприемников и солнечных элементов с квантовыми точками
Авторы:
Войцеховский А. В., Коханенко А. П., Лозовой К. А.
45
Вольтамперные характеристики фотодиодов матрицы фоточувствительных элементов планарного типа на основе структуры p-InP/InGaAs/n-InP
Авторы:
Акимов В. М., Андреев Д. С., Демидов С. С., Иродов Н. А., Климанов Е. А.
50
Исследование фотоэлектрических параметров фотоприемного модуля формата 320x256 на основе InGaAs
Авторы:
Балиев Д. Л., Лазарев П. С., Болтарь К. О.
54
О возможности плазменного резонанса в пленках CdS-PbS в средней инфракрасной области спектра
Авторы:
Роках А. Г., Шишкин М. И., Скапцов А. А., Пузыня В. А.
58
Исследование гетероэпитаксиальных структур CdHgTe методом спектроскопической эллипсометрии
Авторы:
Скребнева П. С., Бурлаков И. Д., Яковлева Н. И.
61
Исследование поверхности эпитаксиальных гетероструктур CdхHg1-хТе после полирующего травления
Авторы:
Кашуба А. С., Пермикина Е. В., Головин С. В.
67
Исследование условий выращивания монокристаллов Cd1-xZnxTe (х < 0,04) методом вертикальной направленной кристаллизации по Бриджмену
Авторы:
Гришечкин М. Б., Денисов И. А., Силина А. А., Смирнова Н. А., Шматов Н. И
72
Влияние атомов примеси Sm и гамма-излучения на спектры фотопроводимости слоистых монокристаллов GeS
Авторы:
Мадатов Р. С., Алекперов А. С., Гасанов О. М., Байрамов Р. Б.
76
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Светосильный двухдиапазонный инфракрасный объектив
Авторы:
Бедарева Е. А., Горелик Л. И., Колесова А. А., Полесский А. В., Семенченко Н. А., Шкетов А. И.
80
Моделирование полей яркости объектов на фоне разорванной облачности атмосферы при наблюдении из нижней полу-сферы
Авторы:
Тиранов Д. Т., Гусева А. А., Филиппов В. Л.
85
ИНФОРМАЦИЯ
Правила для авторов журнала «Прикладная физика»
Авторы:
Научно-технический журнал
88
Трехтомник по твердотельной фотоэлектронике
Авторы:
Научно-технический журнал
90
Бланк-заказ для подписки
Авторы:
Научно-технический журнал
92