Характеристики МОП‑конденсаторов, сформированных осаждением слоев диэлектрика ZrO2: Y2O3 на гетероструктурах Ge/Si(001), выращенных методом HW CVD
Авторы: Титова А. М., Алябина Н. А., Денисов С. А., Чалков В. Ю., Шенгуров В. Г., Нежданов А. В., Здоровейщев А. В., Архипова Е. А., Бузынин Ю. Н.
85