RU / EN

Выпуск №4, 2015 г.

ОБЩАЯ ФИЗИКА

Влияние ионов Al на оптические и кинетические свойства эпитаксиальных пленок (Pb, Gd)3(Al, Ga)5O12: Ce
Авторы: Васильев Д. А., Верещагин К. А., Верещагин А. К., Спасский Д. А., Соколов В. О., Хахалин А. В., Васильева Н. В., Галстян А. М., Плотниченко В. Г.
5
Эффект переключения и памяти в слоистых кристаллах GeS
Авторы: Мадатов Р. С., Алекперов А. С., Гасанов О. М.
11
О практической реализации одной схемы времяпролётных измерений в катодолюминесцентной микроскопии
Авторы: Поляков А. Н., Noltemeyer M., Hempel T., Christen J., Степович М. А.
16
Моделирование электростатического поля заряженного непроводящего тороида
Авторы: Ташаев Ю. Н.
21

ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ

Трансформация пылевых структур в разряде постоянного тока в неоне
Авторы: Шумова В. В., Поляков Д. Н., Василяк Л. М.
27
Влияние частоты поля на особенности плазменной обработки полимеров
Авторы: Марусин В. В., Щукин В.
33
Влияние нагрева газа на вольт-амперную характеристику генератора электронного пучка на основе стационарного открытого разряда
Авторы: Головин А. И.
39
Масс-зарядовый состав ионов плазмы дугового разряда форвакуумного широкоапертурного источника электронов
Авторы: Тюньков А. В., Бурдовицин В. А., Казаков А. В., Медовник А. В., Окс Е. М.
45
Оптические исследования искровых каналов в грунте при растекании импульсного ток
Авторы: Ивонин В. В., Данилин А. Н., Ефимов Б. В., Колобов В. В., Селиванов В. Н., Василяк Л. М., Ветчинин С. П., Печеркин В. Я., Сон Э. Е.
50

ФОТОЭЛЕКТРОНИКА

Исследование характеристик германиевого лавинного фотодиода, подвергнутого мощному лазерному воздействию
Авторы: Короннов А. А., Зверев Г. М., Землянов М. М., Жарикова Е. В., Марсагишвили Д. В.
54
Свойства корреляторов тепловых и фотоиндуцированных случайных полей концентраций и токов подвижных носителей заряда в ИК-фотодиодах
Авторы: Селяков А. Ю., Бурлаков И. Д., Филачёв А. М.
59
Исследование характеристик мезаструктур матриц p–i–n-диодов на основе гетероэпитаксиальных структур AlxGa1-xN
Авторы: Смирнов Д. В., Болтарь К. О., Седнев М. В., Шаронов Ю. П.
66
Исследование планарной матрицы p–i–n-фотодиодов на основе InGaAs с p–n-переходами уменьшенных размеров
Авторы: Залетаев Н. Б., Болтарь К. О., Лопухин А. А., Чинарёва И. В, Габбасова Э. В.
71
Фотоприемный модуль с фотокатодом с барьером Шоттки на основе структуры InP/InGaAs/InP: Ag и с чувствительностью до 1,7 мкм
Авторы: Грузевич Ю. К., Гордиенко Ю. Н., Балясный Л. М., Альков П. С., Иванов В. Ю., Дятлов А. Л., Ваценко П. И.
76
Разработка фотокатодов солнечно-слепого диапазона на основе ГЭС нитрида галлия алюминия, изготовленных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Авторы: Грузевич Ю. К., Гордиенко Ю. Н., Балясный Л. М., Чистов О. В., Альков П. С., Широков Д. А., Жмерик В. Н., Нечаев Д. В., Иванов С. В.
82
Определение требований к качеству оптических поверхностей входных окон неохлаждаемых матричных фотоприемных устройств ультрафиолетового и инфракрасного диапазона спектра
Авторы: Колесова А. А., Лобачев А. В., Соломонова Н. А., Хамидуллин К. А.
88

ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ

Исследование точности измерения спектральной характеристики методом Монте-Карло матричных ИК фотоприемников диапазона 0,9-1,7 мкм
Авторы: Деомидов А. Д., Полесский А. В., Семенченко Н. А., Тресак В. К., Смирнов А. А.
94
Влияние низкочастотных шумов на точность измерения сигнала фотоприемных устройств второго и третьего поколений
Авторы: Деомидов А. Д., Козлов К. В., Полесский А. В., Соломонова Н. А., Фирсенкова Ю. А.
102

ИНФОРМАЦИЯ

Трехтомник по твердотельной фотоэлектронике
Авторы: Научно-технический журнал
109
Правила для авторов журнала
Авторы: Научно-технический журнал
111