RU / EN

Выпуск №1, 2014 г.

СОДЕРЖАНИЕ

Конверсия SiF4 во фторсиланы и моносилан в плазме объемного самостоятельного разряда
Авторы: Аксинин В. И., Казанцев С. Ю., Кононов И. Г., Кудрявцев Е. М., Орлов А. А., Подлесных С. В., Фирсов К. Н., Хорозова О. Д
5
Исследование параметров плазмы ВЧ-индуктивного источника плазмы диаметром 46 см. Часть II. Математическое моделирование параметров плазмы индуктивного и гибридного ВЧ-разрядов
Авторы: Александров А. Ф., Вавилин К. В., Кралькина Е. А., Неклюдова П. А., Павлов В. Б.
9
К вопросу о реализации плазмооптической масс-сепарации
Авторы: Бардаков В. М., Иванов С. Д., Казанцев А. В., Строкин Н. А.
12
Конфигурации импульсно-периодических плазменных релятивистских СВЧ-генераторов
Авторы: Ернылева С. Е., Лоза О. Т.
17
Измерение электронной температуры в микроплазменных разрядах, развивающихся на поверхности титана при импульсном электрическом токе 100А
Авторы: Иванов В. А., Коныжев М. Е., Зимин А. М., Тройнов В. И., Камолова Т. И., Летунов А. А.
21
Структура и некоторые свойства пылевых частиц из плазмы дугового разряда
Авторы: Смоланов Н. А., Панькин Н. А., Батин В. В., Павкин Е. П.
30
Экспериментальное исследование массового уноса жидкого электролитного катода под воздействием газового разряда
Авторы: Тазмеева Р. Н., Тазмеев Б. Х.
35
Аналитическая модель для расчета параметров матричных фотоприемных устройств
Авторы: Патрашин А. И., Бурлаков И. Д., Корнеева М. Д., Шабаров В. В.
38
Матричные фоточувствительные элементы на основе планарных фотодиодов из гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/InP
Авторы: Андреев Д. С., Болтарь К. О., Власов П. В., Лопухин А. А.
47
Метод исследования параметров ФПУ с ВЗН формата 1024?10 на основе КРТ
Авторы: Бочков В. Д., Дражников Б. Н., Кузнецов П. А., Козлов К. В., Соляков В. Н.
53
Особенности ФПУ с режимом ВЗН формата 1024x10 на основе КРТ
Авторы: Бочков В. Д., Дражников Б. Н., Кузнецов П. А., Козлов К. В., Соляков В. Н.
58
Построение БИС считывания с аналогово-цифровым преобразованием фотосигнала в ячейке матричных ФПУ длинноволнового ИК-диапазона
Авторы: Кузнецов П. А., Мощев И. С.
63
Влияние примесей переходных элементов на темновые токи кремниевых фотодиодов
Авторы: Демидов С. С., Климанов У. А., Колесникова Т. Г., Смирнов А. А.
68
Исследование темновых токов в матрицах из InGaAs/InP
Авторы: Андреев Д. С., Лопухин А. А., Хакуашев П. Е., Чинарева И. В.
74
Оценка эффективности решения информационных задач оптико-электронной системой «смотрящего» типа с инфракрасным матричным фотоприёмным устройством в поле лазерного излучения
Авторы: Сахаров М. В., Астраускас Й. И.
78
Исследование влияния работы микрокриогенной системы интегрального типа на характеристики оптико-электронных систем
Авторы: Полесский А. В., Самвелов А. В., Семенченко Н. А., Смирнова Е. А., Хамидуллин К. А.
83

ИНФОРМАЦИЯ

23-я Международная Конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Авторы: Научно-технический журнал
88
Правила для авторов журнала «Прикладная физика»
Авторы: Научно-технический журнал
89